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晶体管

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2SC5001TLR

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 10A
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.4523
64.523
100
¥4.9607
496.07
500
¥4.3844
2192.2
2,500
¥3.0623
7655.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.13 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
系列
2SC5001
直流电流增益 hFE 最大值
390
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
5.5 mm
商标
ROHM Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
10 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 500V,4.0A NCH MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.5483
500:¥4.9042
参考库存:29022
晶体管
MOSFET MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.3337
500:¥6.4862
1,000:¥5.1189
2,000:¥5.1189
参考库存:193309
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V
1:¥2,145.4519
5:¥2,097.5738
10:¥2,054.6225
25:¥2,024.3498
50:¥1,950.8094
参考库存:4796
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SS Trans 435mW 45Vceo 0.435W 125mV
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,500:¥1.03734
10,000:¥1.03734
参考库存:280423
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/15A RC IGBT FSII TO
1:¥27.12
10:¥23.052
100:¥19.9784
250:¥18.984
参考库存:4065
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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