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晶体管

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BSM50GD60DLC

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库存:55,174(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥753.1902
7531.902
30
¥728.059
21841.77
100
¥677.9548
67795.48
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD60DLCBOSA1 SP000100391
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V P channel Mosfet
1:¥5.989
10:¥5.2206
100:¥4.0228
500:¥2.9832
2,500:¥2.1018
5,000:查看
参考库存:51469
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:51474
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TRPBF
2,000:¥10.3734
4,000:¥9.9892
参考库存:51479
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
1:¥23.278
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
500:¥14.5996
参考库存:51484
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥25.8996
10:¥23.052
25:¥20.8259
50:¥19.8993
参考库存:51489
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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