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晶体管

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BSM50GD60DLC

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库存:55,174(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥753.1902
7531.902
30
¥728.059
21841.77
100
¥677.9548
67795.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD60DLCBOSA1 SP000100391
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
8,000:¥0.69947
24,000:¥0.65314
参考库存:46949
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
500:¥18.0574
1,000:¥15.2098
2,500:¥14.4414
5,000:¥13.9103
参考库存:46954
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
240:¥32.657
480:¥30.962
720:¥27.8206
1,200:¥23.4362
参考库存:46959
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2
1:¥643.3768
5:¥630.9355
10:¥610.1096
25:¥584.2891
250:¥523.8906
参考库存:46964
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms
5,000:¥10.2943
参考库存:46969
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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