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晶体管
TSM180P03CS RLG参考图片

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TSM180P03CS RLG

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 30V P-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.2262
42.262
100
¥3.1866
318.66
500
¥2.3391
1169.55
2,500
¥1.5933
3983.25
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
14 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
14.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
21.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59.8 ns
典型接通延迟时间
9 ns
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N2222A
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥38.646
10:¥34.4989
25:¥31.0411
100:¥28.2726
参考库存:4374
APTGT50A170T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥532.6594
5:¥515.9806
10:¥500.3075
25:¥477.7188
参考库存:4411
SMBT 2222A E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:520398
RN2105MFV,L3F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
8,000:¥0.18419
24,000:查看
参考库存:83590
ZXMP6A16DN8TC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS
2,500:¥3.8081
参考库存:47674

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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