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晶体管
IRFH3707TRPBF参考图片

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IRFH3707TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
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库存：39,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.7629
3.7629
10
¥3.0962
30.962
100
¥1.8871
188.71
1,000
¥1.4577
1457.7
4,000
¥1.243
4972
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
17.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
SP001551876
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RM1216
Rectron
晶体管
MOSFET DFN MOSFET
5,000:¥0.9605
10,000:¥0.87575
25,000:¥0.86106
参考库存:55568
2N6677
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥919.3115
2:¥901.2541
5:¥871.2074
10:¥855.5343
参考库存:55573
FF400R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 580A
暂无价格
参考库存:55578
TPCP8102(TE85L,F,M
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET P-CH 20V, 7.3A
暂无价格
参考库存:55583
2N657AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥242.2042
300:¥221.2992
参考库存:55588

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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