RN1111MFV(TPL3)原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	700
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1111MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	120 @ 1mA @ 5V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NGTB40N120L3WG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC	1:¥43.1095 10:¥36.6572 100:¥31.7304 250:¥30.1258 500:¥27.0522	参考库存:6457
STD10P6F6	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGate	1:¥6.9156 10:¥5.7969 100:¥3.729 1,000:¥2.9945 2,500:¥2.5312	参考库存:29294
PBSS4021PX,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -20V -6.2A 600mW 105MHz	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 2,000:¥1.5594	参考库存:11091
DTC144EE-TP	Micro Commercial Components (MCC)	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN 47KOhms 250MHz	1:¥2.0792 10:¥1.356 100:¥0.66105 1,000:¥0.3842 3,000:¥0.29945	参考库存:34888
FDD86326	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET	1:¥12.3735 10:¥10.5316 100:¥8.4524 500:¥7.4015 2,500:¥5.7065 5,000:查看	参考库存:22285