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晶体管
TK12Q60W,S1VQ参考图片

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TK12Q60W,S1VQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
265 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
6.1 mm
长度
6.65 mm
系列
TK12Q60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.3 mm
商标
Toshiba
下降时间
5.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
85 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥61.3929
10:¥55.5508
25:¥52.9405
100:¥45.9458
参考库存:5744
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥35.5046
10:¥31.7304
100:¥26.2047
250:¥23.278
500:¥21.4361
参考库存:9546
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 170A CanPAK-3 MX OptiMOS
1:¥15.5262
10:¥13.1419
100:¥10.5316
500:¥9.2208
5,000:¥6.8704
10,000:查看
参考库存:9423
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥41.8778
10:¥35.5724
100:¥30.8942
250:¥29.2783
500:¥26.2838
参考库存:24883
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.1527
10:¥2.3617
100:¥1.2882
1,000:¥0.9605
3,000:¥0.82942
9,000:¥0.77631
参考库存:47750
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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