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晶体管
CSD19532Q5BT参考图片

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CSD19532Q5BT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V N ch MOSFET
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库存:14,091(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥19.5151
19.5151
10
¥16.5997
165.997
100
¥13.221
1322.1
250
¥13.221
3305.25
500
¥11.526
5763
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19532Q5B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
84 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
105.300 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 100V PNP
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:494780
晶体管
MOSFET 20V N channel MOSFET
1:¥4.3053
10:¥3.3787
100:¥2.2939
500:¥1.582
3,000:¥1.05316
9,000:查看
参考库存:43077
晶体管
MOSFET PFET 20V .88A 1OHM
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:137794
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥15.8313
250:¥14.9838
500:¥13.447
参考库存:34946
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP 50V 100mA
1:¥2.5312
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:427158
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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