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晶体管
2SC3326-A(TE85L,F)参考图片

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2SC3326-A(TE85L,F)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
25 V
集电极—射极饱和电压
0.042 V
最大直流电集电极电流
300 mA
增益带宽产品fT
30 MHz
系列
2SC3326
直流电流增益 hFE 最大值
1200
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
集电极连续电流
300 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
200
Pd-功率耗散
150 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7684
100:¥0.26894
1,000:¥0.18419
3,000:¥0.13786
参考库存:806223
晶体管
MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥8.2264
10:¥6.9495
100:¥5.3449
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
2,500:¥3.729
参考库存:19705
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1015N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:6312
晶体管
达林顿晶体管 PNP Si Transistor Darlington
1:¥5.8421
10:¥4.8251
100:¥3.1075
1,000:¥2.486
2,000:¥2.486
参考库存:38484
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A IGBT
1:¥1,153.1424
5:¥1,130.4746
10:¥1,077.7601
参考库存:4231
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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