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晶体管
STGP10NB60SD参考图片

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STGP10NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
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库存:14,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.6622
236.622
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.436
4859
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
3.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 40V SL DPAK
1:¥6.4523
10:¥5.3223
100:¥3.4352
1,000:¥2.7459
2,500:¥2.3165
参考库存:20474
晶体管
MOSFET MOSFET, 135V, 145A 8.4 mOhm, 180 nC Qg
1:¥20.3626
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.1362
参考库存:23341
晶体管
MOSFET 60V 8A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥7.6049
10:¥7.4806
100:¥5.9551
500:¥4.6669
3,000:¥3.3787
6,000:查看
参考库存:74428
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥31.8095
10:¥26.3516
100:¥21.6734
250:¥20.9728
500:¥18.8258
参考库存:8930
晶体管
MOSFET
1:¥4.6895
10:¥3.9437
100:¥2.4069
1,000:¥1.8645
2,500:¥1.5933
参考库存:8487
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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