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晶体管
STGP10NB60SD参考图片

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STGP10NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
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库存:14,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.6622
236.622
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.436
4859
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
3.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UniFET 500V
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.1419
500:¥11.526
参考库存:8353
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥19.21
10:¥16.3624
100:¥13.0628
500:¥11.4469
1,000:¥9.4468
5,000:¥9.4468
参考库存:83940
晶体管
射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
1:¥2,764.093
参考库存:4587
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥272.1718
5:¥258.5666
10:¥251.8092
25:¥231.3675
参考库存:4984
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥359.5321
2:¥349.7011
5:¥340.0961
10:¥330.3329
参考库存:5071
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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