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晶体管
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IRF200P223

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库存:2,637(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥44.4881
44.4881
10
¥37.8098
378.098
100
¥32.7361
3273.61
250
¥31.0411
7760.275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
102 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
93 S
下降时间
62 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
66 ns
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001582440
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥13.8312
500:¥12.0684
参考库存:3066
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:22958
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29154
参考库存:18060
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114YQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:28062
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.0736
10:¥2.599
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:7114
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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