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晶体管
STD19N3LLH6AG参考图片

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STD19N3LLH6AG

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package
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库存:13,069(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.7178
57.178
100
¥3.6838
368.38
1,000
¥2.9493
2949.3
2,500
¥2.4973
6243.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3.7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD19N3LLH6AG
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
2.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.8 ns
典型接通延迟时间
2.4 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:3059
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V,1.7A PNP low VCE sat (BISS) transi
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
5,000:¥0.68365
参考库存:27971
晶体管
MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
1,000:¥5.5709
参考库存:7923
晶体管
MOSFET 20V N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9154
10:¥1.8871
100:¥0.81473
1,000:¥0.62263
10,000:¥0.42262
20,000:查看
参考库存:51675
晶体管
MOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
1,500:¥4.7573
参考库存:10402
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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