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晶体管
NVMFD5C650NLWFT1G参考图片

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NVMFD5C650NLWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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库存:16,269(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,500
¥7.7631
11644.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
111 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC, 37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C650NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
120 S, 120 S
下降时间
13 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns, 24 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns, 37 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V/75A CK46 IGBT DIE SA
173:¥26.1256
250:¥24.747
500:¥22.2045
1,000:¥18.7467
参考库存:49432
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 3K
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.2035
3,000:¥2.2035
参考库存:49437
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1,500:¥8.7575
2,000:¥8.1473
5,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:49442
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25A CN34 FAST RECTI
667:¥6.5766
1,000:¥5.1867
2,500:¥4.5991
10,000:¥4.4296
参考库存:49447
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 40Vceo 625mW 1.5W 100mA
2,500:¥4.8138
参考库存:49452
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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