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晶体管
FDD24AN06LA0-F085参考图片

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FDD24AN06LA0-F085

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库存:18,110(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.8591
68.591
100
¥5.2658
526.58
500
¥4.6556
2327.8
2,500
¥3.2544
8136
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
7.1 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD24AN06L_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
41 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
118 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
FDD24AN06LA0_F085
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥124.4808
250:¥113.4972
500:¥106.1974
参考库存:53337
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:53342
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
128:¥113.113
250:¥103.1238
500:¥96.5133
1,000:¥88.5242
参考库存:53347
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
暂无价格
参考库存:53352
晶体管
MOSFET TO-220F MOSFET
2,000:¥2.5086
4,000:¥2.2939
10,000:¥2.1018
24,000:¥2.0566
参考库存:53357
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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