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晶体管
QPD1025L参考图片

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QPD1025L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
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数量单价合计
1
¥6,170.252
6170.252
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
22.9 dB
Id-连续漏极电流
28 A
输出功率
1.5 kW
最大漏极/栅极电压
225 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
758 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230-4
封装
Tray
应用
Avionics, IFF Transponders
配置
Dual Gate Dual Drain
工作频率
1 GHz to 1.1 GHz
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1025LEVB1
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:3387
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
参考库存:6364
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:34386
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:176038
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:2615
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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