DMTH6004SPSQ-13原装正品_库存数量_PDF手册

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerDI5060-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	3.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	2 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	95.4 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	167 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	MOSFETs
系列	DMTH6004
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
商标	Diodes Incorporated
下降时间	12 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	11.7 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	31 ns
典型接通延迟时间	13.2 ns
单位重量	96 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRL640SPBF	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan 200V 17 Amp	1:¥13.9894 10:¥11.6842	参考库存:9857
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SBC856BWT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 65V	1:¥3.2318 10:¥2.0679 100:¥0.88366 1,000:¥0.68365 3,000:¥0.51528	参考库存:78366
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FQS4901TF	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 400V Dual N-Ch QFET	1:¥7.8422 10:¥6.6331 100:¥5.0963 500:¥4.4974 3,000:¥3.1527 9,000:查看	参考库存:32025