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晶体管
TK20V60W,LVQ参考图片

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TK20V60W,LVQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
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数量单价合计
1
¥40.567
40.567
10
¥32.657
326.57
100
¥29.7416
2974.16
250
¥26.8149
6703.725
2,500
¥19.2891
48222.75
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN8x8-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
8 mm
系列
TK20V60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S200W02NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
250:¥650.2924
参考库存:49300
DDTD142TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.47K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:49305
DMG504010R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.7458
9,000:¥0.69947
24,000:¥0.63732
45,000:¥0.60681
参考库存:49310
DMN67D8LT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥0.35369
30,000:¥0.32996
50,000:¥0.30736
参考库存:49315
2N2907AE4/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥34.1938
209:¥34.1938
500:¥30.6569
1,000:¥25.8205
2,500:¥24.5888
参考库存:49320

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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