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晶体管
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FNE41060

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10
¥108.2653
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100
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
10 A
Pd-功率耗散
34 W
封装 / 箱体
SPMAA-A26
封装
Tube
系列
FNE41060
商标
ON Semiconductor / Fairchild
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
72
子类别
IGBTs
单位重量
16.712 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CM4209
Central Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMALL SIGNAL PNP
2,000:¥24.5888
参考库存:39883
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暂无价格
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15,000:¥4.7121
参考库存:39903

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