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晶体管
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MJD112G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.4521
245.21
1,000
¥1.8984
1898.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
2 A
最大集电极截止电流
20 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3 (DPAK)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD112
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
75
子类别
Transistors
单位重量
590 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRG4BC30W-SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥15.7522
250:¥14.9047
参考库存:2811
J211
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel
1:¥22.5887
10:¥18.1365
100:¥14.9047
500:¥13.3679
参考库存:45245
FF1200R17KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1700V 1200A DUAL
1:¥7,771.7558
参考库存:45250
0910-60M
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥2,552.0824
25:¥2,517.1202
参考库存:45255
PMN27UPH
Nexperia
晶体管
MOSFET 20V 5.7A P-channel Trench MOSFET
3,000:¥1.02943
9,000:¥0.9605
24,000:¥0.88366
45,000:¥0.85315
99,000:¥0.81473
参考库存:45260

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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