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产品分类

晶体管
IPB60R099P7ATMA1参考图片

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IPB60R099P7ATMA1

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库存:7,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.6514
33.6514
10
¥28.589
285.89
100
¥24.747
2474.7
250
¥23.5153
5878.825
500
¥21.0519
10525.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
77 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
117 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
89 ns
典型接通延迟时间
23 ns
零件号别名
IPB60R099P7 SP001664910
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 650V FS Gen3 Trench IGBT
1:¥42.3411
10:¥36.0357
100:¥31.1993
250:¥29.5834
参考库存:9456
晶体管
达林顿晶体管 BIP DPAK PNP 8A 100V
1:¥6.3732
10:¥5.2771
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.3052
参考库存:21058
晶体管
MOSFET T6 60V S08FL SINGLE
1:¥5.4579
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
1,500:¥2.0001
参考库存:25965
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:4372
晶体管
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥29.5043
10:¥24.4306
100:¥20.1366
250:¥19.5151
500:¥17.515
参考库存:8584
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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