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晶体管
SGB15N120参考图片

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SGB15N120

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A
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库存:41,778(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.341
40.341
10
¥34.2729
342.729
100
¥29.7416
2974.16
250
¥28.2048
7051.2
1,000
¥21.357
21357
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SGB15N120
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
30 A
高度
4.4 mm
长度
10.25 mm
宽度
9.9 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SGB15N120ATMA1 SGB15N12XT SP000012560
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS5
1:¥215.0729
5:¥206.6205
10:¥198.8574
25:¥182.721
参考库存:42516
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.41471
20,000:查看
参考库存:42521
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 BRT -0.1A -50V 4.7KOhm / 47KOhm
1:¥1.4577
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.2147
参考库存:42526
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9838
500:¥13.1419
3,000:¥10.1474
6,000:查看
参考库存:2689
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥2.5312
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
10,000:¥0.32996
20,000:查看
参考库存:42533
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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