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晶体管
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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVTFS6H880NTAG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T8 80V U8FL
3,000:¥1.8645
9,000:¥1.7967
24,000:¥1.7289
49,500:¥1.695
参考库存:166888
PMP5501Y,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
24,000:¥0.70738
45,000:¥0.67574
99,000:¥0.65314
参考库存:44600
PBSS2515YPN,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
3,000:¥0.5989
9,000:¥0.54579
24,000:¥0.50737
45,000:¥0.46104
99,000:¥0.43844
参考库存:44605
DGTD65T40S2PT
Diodes Incorporated
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT 600V-X
450:¥17.8314
900:¥15.9782
参考库存:44610
IKP40N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
500:¥17.4472
1,000:¥14.6787
2,500:¥13.9894
5,000:¥13.447
参考库存:44615

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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