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晶体管
MRF101BN参考图片

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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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库存:4,516(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥5.4579
10:¥4.5087
100:¥2.9154
1,000:¥2.3278
2,500:¥1.9662
参考库存:27306
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
1:¥13.6052
10:¥11.6051
100:¥9.2208
500:¥8.0682
1,000:¥6.7348
3,000:¥6.7348
参考库存:19368
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
1:¥8.6784
10:¥7.4354
100:¥5.7065
500:¥5.0511
5,000:¥3.5369
10,000:查看
参考库存:28680
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
3,000:¥4.294
参考库存:13022
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 3A 30V
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
3,000:¥0.95259
参考库存:47989
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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