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晶体管
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MRF101BN

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101BN/SIL3///TUBE NDP SMALL
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1
¥168.0536
168.0536
5
¥165.432
827.16
10
¥154.9908
1549.908
25
¥139.3064
3482.66
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.8 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
21.1 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
封装
Tube
工作频率
1.8 MHz to 250 MHz
系列
MRF101
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
7.1 S
通道数量
1 Channel
Pd-功率耗散
182 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935377234129
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMPJ201
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 360mW 3.27mW
1:¥21.4361
参考库存:4294
BC857AT-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:19051
DTC123YCAT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35483
STW10N105K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥38.646
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:1505
DSC7003S0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 4.5x4.0mm
1:¥4.7686
10:¥3.5143
100:¥2.2035
500:¥1.7854
1,000:¥1.7063
2,000:¥1.5029
参考库存:5127

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    50万现货SKU

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