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晶体管
RGTH60TS65GC11参考图片

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RGTH60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
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库存:5,080(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
58 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH60TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
58 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH60TS65
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
500:¥18.2156
参考库存:6689
晶体管
MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
10,000:¥1.11418
参考库存:51731
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
1:¥46.9515
10:¥42.4202
25:¥40.4992
100:¥35.1204
参考库存:5463
晶体管
MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
1:¥17.4472
10:¥14.8256
100:¥11.8311
500:¥10.3734
1,000:¥8.6106
参考库存:8215
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥52.5563
10:¥47.3357
25:¥43.1095
100:¥38.8833
1,000:¥32.5779
参考库存:8342
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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