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晶体管
RGTH60TS65GC11参考图片

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RGTH60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
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库存:5,080(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
58 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH60TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
58 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH60TS65
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:318968
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
9,000:¥0.99892
参考库存:49735
晶体管
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
1:¥15.0629
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.9948
参考库存:6622
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.99892
10:¥0.87575
100:¥0.30736
1,000:¥0.20792
3,000:¥0.16159
参考库存:415654
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥20.5208
10:¥18.2834
100:¥16.6788
250:¥15.0629
参考库存:6391
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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