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晶体管
IKW30N60T参考图片

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IKW30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 30A
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库存:9,961(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥30.5778
305.778
100
¥26.5098
2650.98
250
¥25.1312
6282.8
500
¥22.5887
11294.35
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60TFKSA1 IKW3N6TXK SP000054887
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A
1:¥423.0833
5:¥413.5574
10:¥397.421
25:¥384.5842
参考库存:2542
晶体管
MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥22.7469
10:¥18.9049
100:¥15.5262
250:¥15.0629
3,000:¥15.0629
参考库存:28639
晶体管
MOSFET P-Ch -60V 1.9A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:75716
晶体管
MOSFET 100V NCh PowerTrench
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
2,500:¥4.1923
10,000:查看
参考库存:14828
晶体管
MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:4320
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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