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晶体管
C3M0280090J参考图片

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C3M0280090J

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
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数量单价合计
1
¥28.0466
28.0466
100
¥26.9731
2697.31
500
¥25.6623
12831.15
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
SiC
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
385 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
18 V, - 8 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
Power MOSFET
类型
Silicon Carbide MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
3.1 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.5 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RTF025N03TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:30985
SI9933CDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
1,000:¥1.9662
2,500:¥1.7854
参考库存:27507
FDP5800
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
参考库存:10904
KSP13TA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
1:¥2.3843
10:¥1.582
100:¥0.66105
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.35369
参考库存:72021
FS100R17PE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 100A
1:¥1,348.7002
5:¥1,316.2692
10:¥1,283.6122
25:¥1,265.6339
参考库存:3498

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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