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晶体管
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QPD1008L

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
17.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Vgs-栅源极击穿电压
145 V
Id-连续漏极电流
4 A
输出功率
162 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
127 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-360
封装
Tray
配置
Single
工作频率
3.2 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 85 C
系列
QPD
商标
Qorvo
开发套件
QPD1008LPCB401
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.8 V
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5232A
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.1471
10:¥3.5369
100:¥2.4634
1,000:¥1.8306
参考库存:24900
SI3402-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
MOSFET 30V,4A,N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
1:¥4.3053
10:¥3.1188
100:¥1.8419
1,000:¥0.80682
30,000:¥0.52206
48,000:查看
参考库存:75637
IRFBE30LPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
1:¥21.9785
10:¥18.2834
100:¥14.1363
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
参考库存:6264
IRFP150PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
参考库存:16171
IRFP260PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥39.5726
10:¥32.7361
100:¥26.9731
参考库存:3803

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    50万现货SKU

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