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晶体管
CSD18510KTT参考图片

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CSD18510KTT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET GEN1.4 40V-20V
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库存:17,141(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.5206
16.5206
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.2209
1122.09
500
¥9.7632
4881.6
1,000
¥8.0682
8068.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
153 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
19.7 mm
长度
9.25 mm
系列
CSD18510KTT
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
10.26 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
330 S
下降时间
8 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5F
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.7122
3,000:¥4.9381
6,000:查看
参考库存:31410
晶体管
MOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
1:¥5.2206
10:¥4.294
100:¥2.7685
1,000:¥2.2261
1,500:¥1.8758
参考库存:16912
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -80A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6218
500:¥5.8534
2,500:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:13914
晶体管
IGBT 模块 SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
1:¥65.8564
10:¥59.551
25:¥56.7825
100:¥49.2567
参考库存:3216
晶体管
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.729
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.5312
参考库存:13918
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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