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晶体管
FGH50N3参考图片

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FGH50N3

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库存:6,523(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥63.2348
63.2348
10
¥57.1667
571.667
25
¥54.4773
1361.9325
100
¥47.3357
4733.57
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
300 V
集电极—射极饱和电压
1.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
463 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH50N3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH50N3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:3507
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/50V/100mA
1:¥1.8419
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
参考库存:178549
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥23.8995
10:¥19.8202
100:¥15.368
500:¥13.447
1,000:¥11.1418
参考库存:6236
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥11.0627
参考库存:8723
晶体管
MOSFET SO-8 COMP N-P-CH
1:¥9.2208
10:¥7.91
100:¥6.0455
500:¥5.3449
2,500:¥3.7403
10,000:查看
参考库存:13305
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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