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晶体管

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APTGT35A120T1G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Trench Field Stop 1200V 55A 208W
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库存：5,317(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥374.6741
374.6741
5
¥363.295
1816.475
10
¥352.6165
3526.165
25
¥330.638
8265.95
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5303
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥380.7422
250:¥348.7745
参考库存:36764
APTGL40H120T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥436.293
参考库存:36769
PXAC241702FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:36774
APTGLQ300H65G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,486.854
参考库存:36779
IPB60R125CP
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
1,000:¥23.5944
2,000:¥22.4418
参考库存:36784

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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