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晶体管
BSB008NE2LX参考图片

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BSB008NE2LX

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS
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库存:15,433(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.515
17.515
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.9102
1191.02
500
¥10.3734
5186.7
5,000
¥7.684
38420
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WDSON-2-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
600 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
343 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
6.35 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.05 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
120 S
下降时间
32.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
47.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
75 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
零件号别名
BSB008NE2LXXUMA1 BSB8NE2LXXT SP000880866
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
参考库存:12590
晶体管
MOSFET N-Channel PowerTrench
1:¥33.9678
10:¥28.8941
100:¥25.0521
250:¥23.7413
500:¥21.2892
800:¥21.2892
参考库存:17762
晶体管
MOSFET Dl N-Ch Enhancement
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.5822
1,000:¥4.407
2,500:¥4.407
参考库存:39969
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/500V
1:¥3.4578
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
2,500:¥1.13
参考库存:45466
晶体管
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFP27N60K
1:¥63.9354
10:¥57.5509
25:¥52.4094
100:¥47.3357
参考库存:6763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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