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晶体管
ZTX1149ASTZ参考图片

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ZTX1149ASTZ

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP High Gain & Crnt
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库存:47,824(价格仅供参考)
数量单价合计
2,000
¥3.7064
7412.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 200 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
135 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1149
直流电流增益 hFE 最大值
270 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 A, 2 V, 115 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
2,000:¥2.1244
参考库存:56809
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.52206
参考库存:47153
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Resonant Mode - Combi
1:¥66.8508
10:¥60.1612
25:¥54.7824
50:¥51.0195
参考库存:47158
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:31821
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥14.5205
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6896
5,000:查看
参考库存:19323
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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