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晶体管
IPD096N08N3GATMA1参考图片

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IPD096N08N3GATMA1

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库存:32,079(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.3733
8.3733
10
¥7.1642
71.642
100
¥5.5031
550.31
500
¥4.859
2429.5
2,500
¥3.4013
8503.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
73 A
Rds On-漏源导通电阻
7.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
30 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
G IPD096N08N3 SP001127826
单位重量
340 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 250A 6500V
1:¥10,372.7107
5:¥10,206.8832
参考库存:4240
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,892.8661
5:¥4,598.0265
参考库存:39158
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
10,000:¥1.2543
20,000:查看
参考库存:47827
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9608
2,500:¥5.3675
5,000:查看
参考库存:14754
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign
1:¥25.5832
10:¥21.7412
100:¥18.9049
250:¥17.8992
500:¥16.0573
800:¥16.0573
参考库存:8431
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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