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晶体管
FDB0260N1007L参考图片

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FDB0260N1007L

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数量单价合计
1
¥48.1832
48.1832
10
¥40.9512
409.512
100
¥35.5046
3550.46
250
¥33.6514
8412.85
800
¥25.4363
20349.04
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
6.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
84 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.7 mm
长度
10.2 mm
系列
FDB0260N1007L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
59 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NJV4030PT3G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT223 BIP PWR TRAN
1:¥3.2996
10:¥2.7346
100:¥1.6724
1,000:¥1.2882
4,000:¥1.09836
参考库存:6524
BSR33TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.5369
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,000:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:42391
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 N-CH / 40A 600V FS Planar
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
参考库存:4208
SBCP56-10T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 80V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,000:¥1.00683
参考库存:37400
2N5336
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥67.461
10:¥66.8508
25:¥60.9296
100:¥54.9406
参考库存:2902

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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