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晶体管
TN0702N3-G参考图片

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TN0702N3-G

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库存:14,482(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥8.1473
81.473
25
¥6.8817
172.0425
100
¥6.2602
626.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
530 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
3,000:¥0.75258
12,000:¥0.75258
24,000:¥0.69156
45,000:¥0.66896
参考库存:46193
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥388.042
2:¥377.5104
5:¥367.0692
10:¥356.6167
参考库存:46198
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:46203
晶体管
MOSFET 60A Dual Intg Pwr Block
1:¥50.2511
10:¥45.4147
25:¥43.2564
100:¥37.5725
3,000:¥27.4364
参考库存:46208
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥254.1822
5:¥251.5719
10:¥234.4411
25:¥223.9095
参考库存:46213
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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