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晶体管
NTND31225CZTAG参考图片

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NTND31225CZTAG

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T1 XLLGA6 DUAL
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库存:28,938(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
8,000
¥0.66896
5351.68
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
XLLGA-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
220 mA, 127 mA
Rds On-漏源导通电阻
800 mOhms, 2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV, 1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
-
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NTND31225CZ
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
0.48 S, 0.35 S
下降时间
80 ns, 171 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25.5 ns, 71 ns
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
142 ns, 280 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns, 37 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A
1:¥160.1323
10:¥147.2277
25:¥141.1596
100:¥124.3226
参考库存:5196
晶体管
MOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,500:¥1.1752
参考库存:7398
晶体管
MOSFET 40V 103 A Dual NChnl Power Trench MOSFET
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
3,000:¥9.605
6,000:查看
参考库存:28895
晶体管
IGBT 晶体管 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK IGBT
1:¥18.5207
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
800:¥9.1417
参考库存:12812
晶体管
IGBT 晶体管 40A 650V TRENCHSTOP 5 medium speed S5 IGBT copacked with 40A Rapid 1 diode
1:¥37.4934
10:¥31.8886
100:¥27.6624
250:¥26.2047
参考库存:49180
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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