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晶体管
IPD80R2K0P7ATMA1参考图片

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IPD80R2K0P7ATMA1

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库存:51,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.424
54.24
100
¥4.1697
416.97
500
¥3.6838
1841.9
1,000
¥2.9041
2904.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DPAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
1.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
24 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPD80R2K0P7 SP001634906
单位重量
387.100 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V 24A 56W 5.5mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
3,000:¥11.6051
6,000:查看
参考库存:18094
晶体管
MOSFET DualP-ch powertrench mosfets
1:¥4.2262
10:¥3.5143
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4125
参考库存:43438
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥44.9514
10:¥36.1148
25:¥35.4255
100:¥32.883
参考库存:43443
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
参考库存:53106
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥37.7307
10:¥32.0468
100:¥27.8206
250:¥26.3516
500:¥23.6622
参考库存:3748
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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