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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
技术	GaN
增益	21.7 dB
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	-
输出功率	45 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	45 W
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	QFN-20
封装	Cut Tape
封装	Reel
应用	Microcell Base Station, W-CDMA / LTE
配置	Single
工作频率	DC to 4 GHz
系列	QPD
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	250
子类别	Transistors
零件号别名	1132528

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NTD20N03L27T4G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 20A N-Channel	1:¥7.1416 10:¥5.9438 100:¥3.8307 1,000:¥3.0623 2,500:¥2.5877	参考库存:59866
FDS8449	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V N-Ch UltraFET PowerTrench	1:¥7.0738 10:¥5.9212 100:¥3.8194 1,000:¥3.0623 2,500:¥3.0623	参考库存:55253
BFP 620 H7764	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR	1:¥4.2262 10:¥3.5595 100:¥2.1696 1,000:¥1.6724 3,000:¥1.4238	参考库存:41880
PBSS4130PAN,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor	1:¥3.2996 10:¥2.6894 100:¥1.6498 1,000:¥1.2656 3,000:¥1.08367	参考库存:55112
MPSA56	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power	1:¥3.616 10:¥3.0623 100:¥1.921 1,000:¥1.4464	参考库存:93204