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晶体管
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AFM907NT1

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
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数量单价合计
1
¥19.6733
19.6733
10
¥18.0574
180.574
25
¥16.3624
409.06
100
¥14.7578
1475.78
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
15 dB
输出功率
8 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-16
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
136 MHz to 941 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
9.8 S
通道数量
1 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
65.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V , 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
零件号别名
935346918515
单位重量
0.001 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMMUN2116LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥0.84524
10:¥0.72207
100:¥0.26103
1,000:¥0.1695
3,000:¥0.13108
参考库存:227122
AUIRFB4410
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.289
100:¥14.9838
250:¥14.2154
参考库存:8794
TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
1:¥8.0682
10:¥6.2715
100:¥4.0454
1,000:¥3.2318
2,000:¥2.7233
参考库存:13311
STW15NK90Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
1:¥52.093
10:¥47.0984
25:¥44.9514
100:¥39.0302
参考库存:7523
IPP220N25NFDAKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 61A TO220-3
1:¥49.5618
10:¥42.1038
100:¥36.499
250:¥34.6571
参考库存:3855

  • 海量现货

    50万现货SKU

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