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晶体管
IHW15N120E1XKSA1参考图片

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IHW15N120E1XKSA1

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库存:5,471(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.4526
6226.3
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IHW15N120E1 SP001391908
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's 600 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO247 advanced isolation package.
1:¥71.1561
10:¥64.3196
25:¥61.3138
100:¥53.2456
参考库存:2431
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:9458
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 236A
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:8810
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
1:¥59.1668
10:¥53.4829
25:¥51.0195
100:¥44.2621
参考库存:6242
晶体管
MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
2,500:¥4.3166
参考库存:13809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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