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晶体管
SI1539CDL-T1-GE3参考图片

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SI1539CDL-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR
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库存:333,467(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.6159
161.59
500
¥1.2882
644.1
1,000
¥0.96841
968.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
700 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻
388 mOhms, 890 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
1.5 nC, 3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
340 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI1
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.2 S, 0.6 S
下降时间
15 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns, 19 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns, 4 ns
典型接通延迟时间
26 ns, 32 ns
零件号别名
SI1539CDL-GE3
单位重量
28 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥4.8364
10:¥3.9776
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
3,000:¥2.0566
参考库存:7284
晶体管
MOSFET N-chnl30V7.1m logic lvl MOSFET in LFPAK
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.6159
参考库存:23741
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) MATCHED PAIR
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:30168
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥50.0251
10:¥42.5671
100:¥36.8832
250:¥34.9622
参考库存:4510
晶体管
MOSFET UniFET 500V 3.5A
1:¥8.2942
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
2,500:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:9407
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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