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晶体管
SIHA14N60E-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHA14N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
  • 数据手册下载
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库存:7,587(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥18.2834
18.2834
10
¥15.2098
152.098
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
269 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
147 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.9 mm
长度
10.5 mm
系列
SIH
宽度
4.69 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥8.2942
10:¥7.1077
100:¥5.4579
500:¥4.8251
5,000:¥3.3787
10,000:查看
参考库存:34218
晶体管
MOSFET 30V 350 MA DUAL N-CH TRENCH MOSFET
1:¥3.6838
10:¥2.3956
100:¥1.02943
1,000:¥0.791
3,000:¥0.5989
参考库存:254040
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms
1:¥15.9104
10:¥13.5261
100:¥10.8367
500:¥9.4468
参考库存:3437
晶体管
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.13
参考库存:164739
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V Double PNP Switching Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:16751
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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