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晶体管
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STGB30H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
500
¥12.8368
6418.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DLFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥310.5918
250:¥304.1282
参考库存:38257
CMLDM7002A
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET Dual N-Channel Enh Mode
6,000:¥1.3334
9,000:¥1.2543
24,000:¥1.1865
45,000:¥1.1526
参考库存:38262
STU5N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
参考库存:3657
TK40J60U(F)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 40A 600V 320W 3400pF 0.08
暂无价格
参考库存:38269
PTVA030121EA-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:38274

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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