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晶体管
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STGB30H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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数量单价合计
1
¥20.3626
20.3626
10
¥17.289
172.89
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
500
¥12.8368
6418.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H60DLFB
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 75A Single N-Chan Pwr MOSFET
1:¥8.3733
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥4.1923
2,500:¥2.9606
5,000:查看
参考库存:50635
FF900R12IP4V
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥4,307.0402
5:¥4,047.4679
参考库存:7223
2SC5729T106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:50642
R5011ANX
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.0682
500:¥7.1303
1,000:¥5.6274
参考库存:50647
2N6377
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥690.4865
参考库存:50652

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    4小时快速发货

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