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晶体管
IKW30N60DTPXKSA1参考图片

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IKW30N60DTPXKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
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库存:15,535(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.5778
30.5778
10
¥25.9674
259.674
100
¥22.5096
2250.96
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.1309
9565.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
53 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
600V TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW30N60DTP SP001379684
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 PNP High Frequency
3,000:¥15.7522
6,000:¥15.2889
参考库存:44204
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
3,000:¥0.2147
9,000:¥0.18419
24,000:¥0.1695
45,000:¥0.14577
99,000:¥0.12317
参考库存:44209
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
10,000:¥0.23843
30,000:¥0.22261
50,000:¥0.20792
参考库存:44214
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
9,000:¥0.90626
24,000:¥0.82942
45,000:¥0.79891
99,000:¥0.7684
参考库存:751509
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 65W
1,600:¥4.5652
2,800:¥4.0454
10,000:¥3.8985
参考库存:44221
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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