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晶体管
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HGTG11N120CND

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库存：2,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5998
1859.98
250
¥17.6732
4418.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
43 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG11N120CND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
43 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG11N120CND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7104DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 35A
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.91
3,000:¥7.91
参考库存:20925
STF7N60DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ., 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥8.6784
10:¥7.4241
100:¥5.7065
500:¥5.0398
参考库存:15927
FCP260N65S3
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
1:¥14.7578
10:¥12.5204
100:¥10.0683
500:¥8.7575
参考库存:13929
SMMBFJ310LT3G
ON Semiconductor
晶体管
JFET SS JFET XSTR SPCL
1:¥3.1527
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
2,500:¥0.83733
10,000:¥0.78422
参考库存:55656
NTMFD4C88NT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL
暂无价格
参考库存:46275

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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