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晶体管
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HGTG11N120CND

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库存：2,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥21.4361
214.361
100
¥18.5998
1859.98
250
¥17.6732
4418.3
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
43 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG11N120CND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
43 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG11N120CND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC 857BL3 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SiliconAF TRNSTR
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
15,000:¥0.50737
45,000:查看
参考库存:150533
NVMFS5C430NLWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0512
500:¥6.2263
1,500:¥4.3618
9,000:查看
参考库存:8435
ALD810020SCL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
1:¥31.1202
10:¥27.8206
25:¥25.0521
50:¥24.3628
参考库存:2317
DTA124TKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:17014
FJAF4310YTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
参考库存:2541

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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