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晶体管
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STW35N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
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数量单价合计
1
¥39.4144
39.4144
10
¥33.5045
335.045
100
¥29.041
2904.1
250
¥27.5042
6876.05
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
210 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW35N60DM2
商标
STMicroelectronics
下降时间
10.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
21.2 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPC3980ZTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET
1:¥6.6896
10:¥5.8195
25:¥5.6726
50:¥5.4918
1,000:¥2.5764
参考库存:17753
DMN601K-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Channel
1:¥3.3787
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:71855
IRLZ14SPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
参考库存:20872
2N7002,215
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CH TRNCH 60V 300MA
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:1367634
FQL40N50
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 500V N-Channel QFET
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.3354
参考库存:2536

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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