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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	18 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	170 mA
输出功率	2.4 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	2.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.2 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113824

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MMBTA42LT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN	1:¥1.4577 10:¥1.3786 100:¥0.48364 1,000:¥0.32318 10,000:¥0.2147 20,000:查看	参考库存:204732
FDS4470	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET SO-8	1:¥11.9102 10:¥10.1474 100:¥8.1473 500:¥7.0738 2,500:¥5.4579 5,000:查看	参考库存:21399
STQ1NK60ZR-AP	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package	1:¥3.9211 10:¥3.2205 100:¥1.9662 1,000:¥1.5255 2,500:¥1.2995	参考库存:28771
BCX56,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1A	1:¥3.616 10:¥2.5651 100:¥1.1752 1,000:¥0.90626 2,000:¥0.7684	参考库存:89138
FDMS0312AS	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PT8 N 30/20 SYNCFET	1:¥4.6895 10:¥3.8985 100:¥2.373 1,000:¥1.8419 3,000:¥1.5707	参考库存:24920