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晶体管
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MRFX600HR5

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX600H/CFM4F///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,042.1086
1042.1086
5
¥1,021.6669
5108.3345
10
¥974.0261
9740.261
25
¥953.5844
23839.61
50
¥953.5844
47679.22
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
32 A
Vds-漏源极击穿电压
193 V
增益
26.4 dB
输出功率
600 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
NI-780H-4L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.333 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935376369178
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N6274
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥676.4971
2:¥655.5243
5:¥655.3661
10:¥634.2351
参考库存:51045
BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:51050
FF600R12IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 600A
1:¥3,089.9624
5:¥2,903.7045
参考库存:7653
BC847AW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:51057
IPB180N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.4526
2,000:查看
参考库存:51062

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