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晶体管
STF5N62K3参考图片

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STF5N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH 3
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数量单价合计
1
¥14.9047
14.9047
10
¥12.6786
126.786
100
¥10.1474
1014.74
500
¥8.8366
4418.3
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
4.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF5N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
330 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS20R06W1E3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 35A
1:¥202.0101
5:¥199.9422
10:¥186.337
25:¥177.9637
参考库存:6071
2N6454
InterFET
晶体管
JFET N-Ch -20Vgss -20V 10mA 360mW 2.88mW
117:¥55.935
500:¥51.0195
1,000:¥44.409
参考库存:49385
JANTX2N6547
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥506.8389
5:¥485.5497
10:¥477.0182
25:¥447.2088
参考库存:49390
RJH60F6DPQ-A0#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥46.9515
10:¥41.8778
25:¥37.7307
50:¥36.0357
参考库存:49395
DRA5115G0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.50737
9,000:¥0.45313
24,000:¥0.42262
参考库存:49400

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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