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晶体管
STGW40H60DLFB参考图片

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STGW40H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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库存:7,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:5143
晶体管
MOSFET 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥20.6677
10:¥17.1308
100:¥13.2888
500:¥11.6051
1,000:¥9.605
2,000:¥9.605
参考库存:13010
晶体管
MOSFET KTT pkg spin from CSD19506KCS
1:¥34.4198
10:¥30.962
100:¥25.3572
250:¥23.7413
500:¥21.5943
参考库存:8327
晶体管
MOSFET 60V Vds TO-220AB AEC-Q101 Qualified
1:¥22.3627
10:¥18.5998
100:¥14.4414
500:¥12.5995
参考库存:5664
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
3,000:¥2.7685
参考库存:18331
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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