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晶体管
STGW40H60DLFB参考图片

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STGW40H60DLFB

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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库存:7,371(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥29.4252
29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW40H60DLFB
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 900V 7A N Channel Power Mosfet
4,000:¥11.0627
5,000:¥10.6785
参考库存:42159
晶体管
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 59nC
3,000:¥5.8534
参考库存:42164
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 3A
2,500:¥1.9436
10,000:¥1.8758
25,000:¥1.7967
50,000:¥1.7741
参考库存:42169
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:42174
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor NPN
1,400:¥4.2601
2,800:¥3.7855
10,150:¥3.6386
25,200:¥3.5256
参考库存:256094
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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