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晶体管
SI7288DP-T1-GE3参考图片

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SI7288DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.4806
748.06
500
¥6.4297
3214.85
1,000
¥6.0907
6090.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI7
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
39 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
SI7288DP-GE3
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZXTD2090E6TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN Low Sat Switching Tran 160mV
3,000:¥2.8815
参考库存:47224
NVD6414ANT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
2,500:¥3.7403
10,000:¥3.6047
25,000:¥3.4917
参考库存:17019
MPS6532
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
7,500:¥0.86106
10,000:¥0.80682
25,000:¥0.73789
50,000:¥0.71416
100,000:¥0.68365
参考库存:47231
FZ3600R17HE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 3600A
1:¥9,618.8312
参考库存:47236
BUK7237-55A,118
Nexperia
晶体管
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
10,000:¥1.7515
25,000:¥1.6837
50,000:¥1.6611
参考库存:47241

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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