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晶体管
SQJA62EP-T1_GE3参考图片

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SQJA62EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
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库存:11,712(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5653
656.53
500
¥5.65
2825
1,000
¥4.4635
4463.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Power Transistor NPN
2,000:¥2.5538
10,000:¥2.4634
25,000:¥2.3843
参考库存:431233
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥2.4747
10,000:¥2.3843
25,000:¥2.2939
参考库存:26235
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
2,000:¥5.3675
参考库存:43947
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/50A CJ57 FAST IGBT
157:¥28.815
250:¥27.3573
500:¥24.5097
1,000:¥20.6677
参考库存:39847
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 20A 40V 38W 820pF 0.014
2,000:¥3.5821
10,000:¥3.4465
24,000:¥3.3335
参考库存:43954
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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